DDR2和DDR3的插槽是不相同，DDR3比DDR2频率高，速度快，容量大，功用高。

  DDR3内存相关于DDR2内存，其实仅仅规范上的进步，并没有真实的全面换代的新架构。DDR3触摸针脚数目同DDR2皆为240pin。可是防呆的缺口方位不同。DDR3在大容量内存的支撑较好，而大容量内存的分水岭是4GB这个容量，4GB是32位操作体系的履行上限(不考虑PAE等等的内存映像形式，因这些32位元元延伸形式仅仅过渡方法，会下降效能，不会在零售商场成为技能干流)当商场需求超越4GB的时分，64位CPU与操作体系便是仅有的解决方案，此刻也便是DDR3内存的遍及时期。

  DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank的规划，意图是为了应对未来大容量芯片的需求。而DDR3很或许将从2Gb容量起步，因而开始的逻辑Bank便是8个，别的还为未来的16个逻辑Bank做好了预备。

  因为DDR3新增了一些功用，在引脚方面会有所添加，8bit芯片选用78球FBGA封装，16bit芯片选用96球FBGA封装，而DDR2则有60/68/84球FBGA封装三种规范。而且DDR3有必要是绿色封装，不能含有任何有害物质。

  因为DDR3的预取为8bit，所以突发传输周期(BL，Burst Length)也固定为8，而关于DDR2和前期的DDR架构的体系，BL=4也是常用的，DDR3为此添加了一个4-bit Burst Chop(突发骤变)形式，即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来组成一个BL=8的数据突发传输，到时可通过A12地址线来操控这一突发形式。

  就像DDR2从DDR改变而来后推迟周期数添加相同，DDR3的CL周期也将比DDR2有所进步。DDR2的CL规模一般在2至5之间，而DDR3则在5至11之间，且附加推迟(AL)的规划也有所改变。DDR2时AL的规模是0至4，而DDR3时AL有三种选项，分别是0、CL-1和CL-2。别的，DDR3还新添加了一个时序参数写入推迟(CWD)，这一参数将依据详细的作业频率而定。

  1.速度更快：prefetch buffer宽度从4bit提升到8bit，中心同频率下数据传输量将会是DDR2的两倍。

  3.容量更大：更多的Bank数量，按照JEDEC规范，DDR2应可出到单位元元4Gb的容量(亦即单条模块可到8GB)，但现在许多DRAM厂商的规划，DDR2出产或许会越过这个4Gb单位元元容量，也便是说到时单条DDR2的DRAM模块，容量最大或许只会到4GB。而DDR3模块容量将从1GB起跳，现在规划单条模块到16GB也没问题(留意：这儿指的是零售拼装商场专用的unbuffered DIMM而言，server用的FB与Registered不在此限)。